Equipements
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Plateforme ultra-haut vide
La plateforme ultra-haut vide (UHV) regroupe un ensemble complet de techniques complémentaires d’analyse de surface, comprenant la microscopie à effet tunnel (STM), les spectroscopies de photoémission (XPS, UPS et ARPES) ainsi que les techniques de diffraction électronique (LEED et XPD). Associée à différentes capacités de dépôt de couches minces organiques et inorganiques, cette plateforme permet la caractérisation structurale et électronique des surfaces, de l’échelle atomique à l’échelle macroscopique. Elle offre un environnement unique pour étudier la morphologie, la structure atomique, la composition chimique et les propriétés électroniques des matériaux, grâce à des analyses complémentaires à la fois locales et globales.
Plateforme de Microscopie Corrélative
Dans le cadre du projet Mat-Light 4.0, notre équipe gère un microscope corrélatif de dernière génération. Le microscope Allalin (Attolight) est une plateforme de microscopie corrélative de pointe qui combine la microscopie électronique à balayage (MEB), la cathodoluminescence (CL), la photoluminescence (PL), la spectroscopie Raman, des mesures de transport électrique à deux terminaux, ainsi que des capacités d’imagerie hyperspectrale et de spectroscopie résolue en temps. Cet instrument permet de cartographier les propriétés optiques, électroniques et structurales des matériaux avec une résolution spatiale nanométrique, depuis la température cryogénique jusqu’à la température ambiante. Il constitue un outil unique pour étudier les semiconducteurs, les matériaux quantiques, les nanostructures et les dispositifs optoélectroniques, en établissant des corrélations directes entre leur morphologie, leur composition et leurs propriétés fonctionnelles.
Plateforme de microscopies à sonde locale
La plateforme de microscopies à sonde locale regroupe la microscopie à force atomique (AFM), le conductive-AFM (C-AFM), la microscopie à force de Kelvin (KPFM) ainsi que la microscopie à effet tunnel (STM) à l’interface solide-liquide. Ces techniques complémentaires permettent la caractérisation à l’échelle nanométrique des propriétés de surface d’une grande variété de matériaux. Elles offrent une cartographie à haute résolution de la topographie, de la conductivité électrique locale et du travail de sortie (fonction travail), tandis que la STM permet l’imagerie à l’échelle atomique et la caractérisation électronique des surfaces à l’interface solide–liquide. Ensemble, elles constituent un ensemble d’outils puissant pour l’étude des métaux, des semiconducteurs, des matériaux moléculaires et des nanostructures.
